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利用優(yōu)化的陽極氧化技術(shù)，制備出表面平整TiO2納米管陣列薄膜。該薄膜不僅可以用來進(jìn)行光催化、染料敏化太陽能電池、儲(chǔ)能材料等研究，還可以其為模板，制備出更加復(fù)雜的材料和結(jié)構(gòu)。
特性、外觀
TiO2基底厚度為300um，由陽極氧化法制備獲得，其納米管具有一端開口、排列有序和單層等特點(diǎn)。
本產(chǎn)品未經(jīng)過熱處理，因此制備的TiO2納米管陣列沒有呈現(xiàn)特定的晶體結(jié)構(gòu)，屬于無定形態(tài)，也沒有明顯的拉曼峰。
熱處理是優(yōu)化TiO2納米管性能的重要步驟，適當(dāng)?shù)臒崽幚砜梢越档途Ы缒?、消除無定型組分，有效提高量子效率。經(jīng)400oC退火后，在145 nm、398 nm、515 nm、638 nm處會(huì)出現(xiàn)明顯的拉曼峰，此時(shí)的TiO2納米管陣列呈現(xiàn)出銳鈦礦相的結(jié)構(gòu)；經(jīng)600oC退火后，TiO2納米管陣列會(huì)在614 nm處出現(xiàn)一個(gè)新的拉曼峰，它屬于TiO2金紅石相的拉曼峰，此時(shí)的TiO2納米管陣列是銳鈦礦相和金紅石相兩相共存。
微觀納米結(jié)構(gòu)
納米管外徑150nm，上表面SEM照片
納米管外徑150nm，去除Ti基底后下表面SEM照片
納米管外徑150nm，截面SEM照片
納米管外徑150nm，截面SEM照片
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