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南京大學(xué)使用AAO模板結(jié)合創(chuàng)新的工藝過程，獲得了鐵電高分子材料納米陣列，用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，相關(guān)結(jié)果發(fā)表在Adv. Funct. Mater. 相關(guān)結(jié)果對(duì)于AAO模板的應(yīng)用有很大啟發(fā)作用，也表明了上木科技AAO模板產(chǎn)品的孔陣列的均勻性和產(chǎn)品可靠性。
聚偏氟乙烯（PVDF）基鐵電高分子具有高達(dá)10μC/cm2的剩余極化值，因此在信息存儲(chǔ)中具有誘人的應(yīng)用前景。其卓越的電性能來源于極性晶體結(jié)構(gòu)及其在外加電場(chǎng)中的反轉(zhuǎn)或重新定向：極性的β型晶體的晶胞單元由兩條偶極指向同一方向的鋸齒形構(gòu)象分子鏈組成，而偶極的方向會(huì)隨著外電場(chǎng)方向翻轉(zhuǎn)而翻轉(zhuǎn)（圖1）。與傳統(tǒng)的無機(jī)材料相比，鐵電高分子具有價(jià)格低廉、易加工、易彎折等諸多優(yōu)點(diǎn)。目前，如何得到高密度、低缺陷的鐵電高分子陣列并表征其電性能，是研究的趨勢(shì)和難點(diǎn)。
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（圖1）
最近，南京大學(xué)沈群東教授領(lǐng)導(dǎo)的電活性高分子課題組制備了偏氟乙烯基鐵電高分子的超薄膜，并利用納米壓印技術(shù)，以多孔氧化鋁模板（AAO）為壓印模板對(duì)超薄膜進(jìn)行加工，得到了高覆蓋率、大面積的鐵電高分子薄膜陣列。納米加工后的鐵電高分子鐵電高分子仍然保持了良好的鐵電性；利用壓電力顯微鏡探針施加電場(chǎng)，可以在鐵電高分子陣列上存儲(chǔ)信息（圖2）。納米壓印后的有機(jī)高分子鐵電納米薄膜能夠?qū)崿F(xiàn)75 Gb/inch2的存儲(chǔ)密度。這一工作為鐵電高分子在微型化、陣列式的柔性有機(jī)電子器件的應(yīng)用提供了新思路。
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（圖2）
研究成果發(fā)表《先進(jìn)功能材料》 （Nano-imprinted ferroelectric polymer nanodot arrays potential for high density data storage (75 Gb inch-2), Adv. Funct, Mater., 2013, 10.1002/adfm.201203042）。
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