2012年12月21日，浙江大學(xué)與我公司丁博士合作，使用我公司制備的孔徑為20-80nm超薄AAO模板作為掩膜，在Si（001）單晶上生長Ge的六角堆積點陣列結(jié)構(gòu)，并且研究了其發(fā)光現(xiàn)象，取得不錯的進展，相關(guān)結(jié)果已經(jīng)發(fā)表在Nanotechnology，其中我公司丁博士作為共同作者。
下圖為利用AAO超薄模板制備的尺寸為（a）30nm，（b）50nm（c）70nm的Ge點陣列的FESEM圖片：
圖片引自：
Yourui Huangfu et al 2013 Nanotechnology 24 035302
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